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深圳市金华微盛电子有限公司

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VISHAY/威世SOP8

18000

2019+

原厂渠道 可含税出货

深圳市凯睿晟科技有限公司

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6年 留言

BychipSOP8

10000

23+

高品质替代,技术支持,参数选型

深圳市坤融电子科技有限公司

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SI4539DY

VISHAY/威世SOP

5000

2025+

原装进口,免费送样品!

深圳市一线半导体有限公司

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SI贴片

1500

24+

本站现货库存

齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司

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10年 留言

VISHAYSOP8

5000

23+

原装正品,假一罚十

深圳市一线半导体有限公司

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17年 留言

SISOP8

307

24+

深圳市创新迹电子有限公司

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3年 留言

VISHAYSOP8

20000

22+

公司只做原装 品质保证

深圳市威雅利发展有限公司

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    陈经理

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VISHAYSOP8

875

04+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市诺美思科技有限公司

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16年 留言

VISHAY原厂封装

9800

原装进口公司现货假一赔百

深圳市昊创电子有限公司

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14年 留言

Siemens/西门子SOP8

1000

优势库存

深圳市安富世纪电子有限公司

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VISHAYSOP8

50000

23+

全新原装正品现货,支持订货

深圳和润天下电子科技有限公司

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8年 留言

VISHAY/威世SMD-8

2500

23+

百分百进口原装环保整盘

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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VISHAYSO-8

50000

2024+

原装现货

深圳市宏世佳电子科技有限公司

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    深圳市福田区华强北路上步工业区鹏基上步工业厂房102栋西620

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VISHAYSOP

3587

2025+

全新原厂原装产品、公司现货销售

深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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    李先生

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    深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海大厦C-707

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VISHAY/威世SOP

12000

24+

原装正品 有挂就有货

中天科工半导体(深圳)有限公司

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SI4539DY-T1-GE3

VISHAY/威世SOP-8

39606

25+

1+
:¥0.12345

VISHAY/威世全新特价Si4539DY-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货

深圳市凌旭科技有限公司

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SILICONSOP8

8000

2016+

只做原装,假一罚十,内存,闪存,公司可开17%增值税

深圳市亿联芯电子科技有限公司

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    18138401919

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15年 留言

SI3.9

1570

2023+

1+
:¥3.6

一级代理优势现货,全新正品直营店

深圳市昌和盛利电子有限公司

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SISOP

12735

26+

代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订

深圳市川科科技有限公司

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    13147005145

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VISHAY-威世SOP-8.贴片

78800

24+25+/26+27+

1
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1000
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SI4539DY功能描述:MOSFET SO8 COMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4539DY_Q功能描述:MOSFET SO8 COMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4539DY-E3功能描述:MOSFET 30V 5.9/4.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4539DY-T1制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.9A 8-Pin SOIC N T/R

SI4539DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30 Volt 5.9/4.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube