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SI4539DY-T1-E3	文件：1.23256 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Motor Drive • Mobile Power Bank 文件：1.23256 Mbytes 页数：14 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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详细参数

型号：
SI4539DY-T1-E3
功能描述：
MOSFET 30 Volt 5.9/4.9A 2W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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