| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAYSOP8 |
8000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市华康联电子科技有限公司12年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
23+ |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOIC-8 |
18000 |
22+ |
只做全新原装,支持BOM配单,假一罚十 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOP-8 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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VISHAYSOP |
12000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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SILSOP-8 |
6528 |
2016+ |
只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品! |
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深圳市兴灿科技有限公司8年
留言
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VISHAY/威世SOIC-8 |
25500 |
23+ |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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VISHAYSMD |
20000 |
2018+ |
一级代理原装现货假一罚十 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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VISHAY原厂原装 |
2181 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOP8 |
42589 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOP-8 |
3565 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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SILCONSOP8 |
3650 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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VISHAY/威世SOIC-8 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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SILSOP-8 |
6550 |
22+ |
原装 低价 支持实单 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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VISHAY8-SOIC |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
159 |
23+ |
大批量供应优势库存热卖 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市羿芯诚电子有限公司11年
留言
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VISHAYSOP-8 |
3000 |
23+ |
全新原装现货 优势库存 |
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深圳市宝芯创电子有限公司9年
留言
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VISHAY/威世8-SOIC |
36309 |
18+ |
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
SI4562DY-T1采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4562DY-T1图片
SI4562DY-T1-E3价格
SI4562DY-T1-E3价格：￥11.1982品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI4562DY-T1-E3多少钱，想知道SI4562DY-T1-E3价格是多少？参考价：￥11.1982。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4562DY-T1-E3批发价格及采购报价，SI4562DY-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI4562DY-T1-E3报价。
SI4562DY-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4562DY-T1功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4562DY-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4562DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 7.1/6.2A 2.0W 25/33mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
