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SI4562DY-T1-E3

N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET: 2.5 Rated • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

文件:272.61 Kbytes 页数:10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI4562DY-T1-E3

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Motor Drive • Mobile Power Bank

文件:1.23229 Mbytes 页数:14 Pages

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上传:深圳庞田科技有限公司

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SILICON

详细参数

  • 型号:

    SI4562DY-T1

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI4562DY-T1供应商 更新时间2025-11-3 14:01:00