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SI4562DY-T1-E3规格书详情
FEATURES
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
• TrenchFET® Power MOSFET
• 100 Rg and UIS Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
• Motor Drive
• Mobile Power Bank
产品属性
- 型号：
SI4562DY-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
询价 | |||
VISHAT |
18+ |
SOP-8 |
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VISHAY (SILICONIX) |
25+ |
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VISHAY/威世 |
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SOP-8 |
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Vishay(威世) |
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Bychip |
23+ |
SOP8 |
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VISHAY |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY |
原厂封装 |
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询价 | |||
VISHAY/威世 |
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