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SI4463DY	文件：49.42 Kbytes Page：3 Pages	P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETusesaruggedgatePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V–12V). Features •–11.5A,–20V.RDS(ON)=12mΩ@VGS=–4.5V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
ACT4463	文件：122.47 Kbytes Page：8 Pages	ACT4453/4463SINGLESUPPLYTRANSCEIVERSFORMIL-STD-1553/1760 GeneralDescription: TheAeroflexCircuitTechnologyACT4453/4463seriesarenextgenerationmonolithictransceiverdesignswhichprovidesfullcompliancewithMIL-STD-1553A/Band1760requirementsinthesmallestpackageswithlowpowerconsumptionandsinglepowersupplyoperation. Features	AEROFLEXCobham Corporate 艾法斯	AEROFLEX
AIT-4463	文件：462.55 Kbytes Page：1 Pages	IsolationTransformer	ALLIED Allied Components International	ALLIED
AM4463P	文件：194.8 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
APM4463K	文件：120.05 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-10A,RDS(ON)=12mΩ(typ.)@VGS=-4.5VRDS(ON)=18mΩ(typ.)@VGS=-2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSyst	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM4463KC-TR	文件：120.05 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-10A,RDS(ON)=12mΩ(typ.)@VGS=-4.5VRDS(ON)=18mΩ(typ.)@VGS=-2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSyst	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM4463KC-TRL	文件：120.05 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-10A,RDS(ON)=12mΩ(typ.)@VGS=-4.5VRDS(ON)=18mΩ(typ.)@VGS=-2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSyst	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM4463KC-TU	文件：120.05 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-10A,RDS(ON)=12mΩ(typ.)@VGS=-4.5VRDS(ON)=18mΩ(typ.)@VGS=-2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSyst	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM4463KC-TUL	文件：120.05 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-10A,RDS(ON)=12mΩ(typ.)@VGS=-4.5VRDS(ON)=18mΩ(typ.)@VGS=-2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSyst	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
DRF4463F	文件：206.88 Kbytes Page：6 Pages	20dBmISMRFTransceiverModule	DORJIDorji Applied TechnologhiesDorji Industrial Group Co.,Ltd 多吉应用多吉应用技术多吉实业集团有限公司	DORJI
GAPM4463	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
PE4463	文件：117.72 Kbytes Page：1 Pages	TNCFEMALECLAMATTACHMENT	PASTERNACKPasternack Enterprises, Inc. 帕斯特纳克	PASTERNACK
PJQ4463AP	文件：568.42 Kbytes Page：6 Pages	60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-6A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJQ4463AP-AU	文件：563.93 Kbytes Page：6 Pages	60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-6A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
QPA4463A	文件：865.38 Kbytes Page：7 Pages	DC??3500MHzCascadableSiGeHBTAmplifier	QORVOQorvo, Inc Qorvo	QORVO
QPA4463A	文件：771.66 Kbytes Page：8 Pages	CASCADABLESiGeHBTMMICAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
QPA4463ASQ	文件：771.66 Kbytes Page：8 Pages	CASCADABLESiGeHBTMMICAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
QPA4463ASQ	文件：865.38 Kbytes Page：7 Pages	DC??3500MHzCascadableSiGeHBTAmplifier	QORVOQorvo, Inc Qorvo	QORVO
QPA4463ASR	文件：865.38 Kbytes Page：7 Pages	DC??3500MHzCascadableSiGeHBTAmplifier	QORVOQorvo, Inc Qorvo	QORVO
QPA4463ASR	文件：771.66 Kbytes Page：8 Pages	CASCADABLESiGeHBTMMICAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD

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详细参数

型号：
SI4463D
功能描述：
MOSFET SO8 PCH 20V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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