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SI4467DY

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

General Description This P-Channel 1.8V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (1.8V – 8V). Features • –13.5 A, –20 V. RDS(ON) = 8.5

文件:90.41 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

Si4467DY

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

Vishay

威世

SI4467DY

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

SMAJ4467

This 1.5 Watt Zener series in a low-profile light-weight plastic surface Mount Configuration

文件:90.74 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

SMAJ4467

Transient Voltage Suppressor

文件:196.53 Kbytes 页数:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

SS4467

Zener 1.5W DIODE

文件:91.03 Kbytes 页数:2 Pages

SENSITRON

详细参数

  • 型号:

    SI4467DY

  • 功能描述:

    MOSFET SO8 SINGLE PCH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHILD
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SOP8
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更多SI4467DY供应商 更新时间2026-4-17 13:57:00