| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
20781 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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VISHAYSOP8 |
893993 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
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VISHAY |
9750 |
37539+ |
进品原装正品 现货库存带17%增值发票 |
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标准国际(香港)有限公司16年
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SI4482DY4207 |
4207 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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VBSEMI-微碧车规-场效应管 |
143788 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
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SILSOIC-8 |
3000 |
22+ |
原装现货库存.价格优势 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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SIX/XILISOP |
3000 |
98+ |
自己现货 |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
9800 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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VISHAYSOP-8 |
4000 |
00+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOP-8 |
50000 |
2024+ |
原装现货 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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VBsemi(台湾微碧)SO-8 |
105000 |
2112+ |
4000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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VISHAY原包装 |
3560 |
原装正品!假一罚十!现货库存热卖 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOP8 |
28600 |
22+ |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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VISHAYSOP8 |
1800 |
01+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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上海鑫科润电子科技有限公司7年
留言
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SILSOIC-8 |
3 |
03+ |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOP8 |
1233 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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VISHAYSOP8 |
50000 |
21+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
49300 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
SI4482DY采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4482DY图片
SI4482DY中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4482DY功能描述:MOSFET 100V 4.6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4482DY-E3功能描述:MOSFET 100V 4.6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4482DY-T1功能描述:MOSFET 100V 4.6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4482DY-T1-E3功能描述:MOSFET 100V 4.6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4482DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 100V 4.6A 2.5W 60mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
