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SI4482DY-T1-E3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Extremely Low Qgd for Switching Losses • 100 Rg Tested • 100 Avalanche Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch

文件:1.02066 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI4490DY-T1-E3

SOP8

VISHAY/威世

上传:深圳瞄钧科技有限公司

VISHAY/威世

SI4497DY-T1-GE3

SOP8

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:亚泰电子科技有限公司

SI4532CDY-T1-GE3

SOP8

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市英瑞尔电子科技有限公司

SI4700-A09-GMR

QFN24

SILICON

详细参数

  • 型号:

    SI4482DY-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 4.6A 2.5W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI4482DY-T1-E3供应商 更新时间2026-2-5 10:02:00