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深圳市凯睿晟科技有限公司

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中天科工半导体(深圳)有限公司

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深圳市威雅利发展有限公司

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深圳市诺美思科技有限公司

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原装进口公司现货假一赔百

深圳市亿联芯电子科技有限公司

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VISHAY/威世3.9mm-8P

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深圳市耿芸科技有限公司

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VISHAY/威世SOP8

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深圳市力拓辉电子有限公司

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只做原装鄙视假货15118075546

深圳市恒达亿科技有限公司

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深圳市佳鑫美电子科技有限公司

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SI4501DY功能描述:MOSFET 30/8V 9/6.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4501DY-E3功能描述:MOSFET 30/8V 9/6.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4501DY-T1功能描述:MOSFET 30/8 9/6.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4501DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30/8 9/6.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube