零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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SI4190ADY | N-Channel 100 V (D-S) MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
SI4190ADY | N-Channel 100 V (D-S) MOSFET | TFUNKVishay Telefunken 威世威世(VISHAY)集团 | TFUNK | |
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCPrimarySideSwitch •Telecom/Server •Industrial | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
192kHzStereoAsynchronousSampleRateConverters | BURR-BROWN Burr-Brown (TI) | BURR-BROWN | ||
192kHzStereoAsynchronousSampleRateConverters | BURR-BROWN Burr-Brown (TI) | BURR-BROWN | ||
192kHzStereoAsynchronousSampleRateConverters | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 | ||
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192kHzStereoAsynchronousSampleRateConverters | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 |
详细参数
- 型号:
SI4190ADY
- 功能描述:
MOSFET 100V 8.8mOhm@10V 18.4A N-Ch MV T-FET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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