Si4190ADY数据手册Vishay中文资料规格书
技术参数
- 型号：
SI4190ADY
- 功能描述：
MOSFET 100V 8.8mOhm@10V 18.4A N-Ch MV T-FET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
SOP-8 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
VISHAY |
14+ |
SOP8 |
164 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
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VISHAY |
21+ |
SOP8 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
SOP-8 |
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询价 | ||
VISHAY |
23+ |
SOP8 |
2664 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
SOIC-8 |
30000 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
SOP8 |
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询价 | ||
VISHAY |
NA |
16355 |
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