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SI3588DV-T1-GE3

N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件:598.24 Kbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI3588DV-T1-E3

N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件:221.62 Kbytes 页数:12 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI3588DV-T1-GE3

N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI3590Dv

TSOP6

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市益百分电子有限公司

SI4010-C2-GSRIC

SOP14

SILICON LAB

上传:深圳庞田科技有限公司

SILICON LAB

详细参数

  • 型号:

    SI3588DV-T1

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 3.0/2.2A 1.15W 128/300mohm @ 1.8V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT-26
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更多SI3588DV-T1供应商 更新时间2026-1-28 16:04:00