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SI3879DV-T1-GE3	文件：568.25 Kbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableApplications •BatterySwitchforPortableDevices •Computers -BusSwitch -LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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SI3879DV-T1-GE3

文件：568.25 Kbytes

Page：9 Pages

Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableApplications •BatterySwitchforPortableDevices •Computers -BusSwitch -LoadSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

详细参数

型号：
SI3879DV-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 20V 5.0A 3.3W 70mohm @ 4.5V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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