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SI3948DV-T1-GE3

Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件:513.89 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI4010-C2-GSRIC

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详细参数

  • 型号:

    SI3948DV-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 2.5A 1.15W 105mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI3948DV-T1-GE3供应商 更新时间2025-10-4 9:05:00