| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
1年
留言
|
NK/南科功率TSOP-6 |
2255 |
|
国产南科平替供应大量 |
|||
|
7年
留言
|
VISHAY/威世SOT-163 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
|
5年
留言
|
VISHAY/威世SOT23-6 |
3250 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
|||
|
7年
留言
|
onsemi(安森美)SOT-23-6 |
11580 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
|
5年
留言
|
VISHAYSOT-5 |
26200 |
25+ |
原装现货,诚信经营! |
|||
|
11年
留言
|
VISHAYSOT23-6 |
3250 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
|||
|
VISHAY/威世 |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
|
15年
留言
|
VISHAY/威世SOT23-6 |
47874 |
25+ |
|
VISHAY/威世全新特价SI3948DV-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货 |
||
|
7年
留言
|
VISHAY/威世SOT-163 |
5000 |
2025+ |
原装进口,免费送样品! |
|||
|
VISHAY/威世SOT23-6 |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
|
5年
留言
|
N/ASMD |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
|
6年
留言
|
VISHAY/威世SOT23-6 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
5年
留言
|
Vishay Siliconix6TSOP |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
|||
|
17年
留言
|
3000 |
24+ |
自己现货 |
||||
|
12年
留言
|
VISHAYSOT163 |
3000 |
24+ |
全新原装现货 优势库存 |
|||
|
11年
留言
|
VISHAY/威世SOT-163 |
9600 |
24+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
|
13年
留言
|
VISHAY/威世SOT23-6 |
3000 |
22+ |
|
原装正品,支持实单 |
||
|
17年
留言
|
VISHAYSOT-26 |
3090 |
24+ |
||||
|
1年
留言
|
NK/南科功率TSOP-6 |
986966 |
2025+ |
|
国产 |
||
|
17年
留言
|
VISHAY/威世SOT23-6 |
30000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
SI3948采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI3948图片
SI3948DV-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI3948制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
SI3948DV功能描述:MOSFET 30V 2.5A DUAL N-CH TRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3948DV-T1功能描述:MOSFET 30V 2.5A DUAL N-CH TRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3948DVT1E3制造商:VISHAY 功能描述:Pb Free
SI3948DV-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 2.5A DUAL N-CH TRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3948DV-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 2.5A 1.15W 105mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube






























