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|---|---|---|---|---|
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：513.89 Kbytes 页数：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
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详细参数
- 型号：
SI3948DV-T1
- 功能描述：
MOSFET 30V 2.5A 1.15W 105mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
SOT23-6 |
47874 |
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VISHAY/威世 |
2025+ |
SOT-163 |
5000 |
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VISHAY |
16+ |
SOT23-6 |
3250 |
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VISHAY/威世 |
2019+ |
SOT-163 |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
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VISHAY/威世 |
2019+PB |
SOT23-6 |
3250 |
原装正品 可含税交易 |
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NK/南科功率 |
TSOP-6 |
2255 |
国产南科平替供应大量 |
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V |
23+ |
TSMT6 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
SOT23-6 |
50000 |
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N/A |
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SMD |
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VISHAY |
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TSOP-6 |
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更新时间2026-2-4 21:09:00
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