| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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VISHAYSOT163 |
620 |
22+ |
只做原装 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
3560 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT23-6 |
3560 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市广弘电子有限公司3年
留言
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SI3867DV-T1-GE3SOT23-6 |
3560 |
2019+PB |
13632880263 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
30000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TSOP-6 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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VISHAYTSOP-6 |
4897 |
22+ |
绝对原装!现货热卖! |
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深圳市鼎欣微电子有限公司3年
留言
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VISHAY/威世 |
12000 |
23+ |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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VISHAY/威世SOT23-6 |
45000 |
23+ |
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热卖优势现货 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOT-163 |
3500 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYTSOP-6 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
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VISHAYSOT163 |
30980 |
19+ |
原装现货/放心购买 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOT23-6 |
98000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT23-6 |
6337 |
20+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
30000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT23-6 |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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VISHAYSOT163 |
26269 |
1408+ |
绝对原装进口现货可开增值税发票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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VISHAY6-TSOP |
6680 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOT-163 |
6852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOT23-6 |
880000 |
0533+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
SI3867DV采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI3867DV图片
SI3867DV-T1-E3价格
SI3867DV-T1-E3价格：￥2.9462品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI3867DV-T1-E3多少钱，想知道SI3867DV-T1-E3价格是多少？参考价：￥2.9462。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI3867DV-T1-E3批发价格及采购报价，SI3867DV-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI3867DV-T1-E3报价。
SI3867DV-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI3867DV制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V(D-S) MOSFET
SI3867DV_08制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V(D-S) MOSFET
SI3867DV-T1功能描述:MOSFET 20V 5.1A 1.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3867DV-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 5.1A 2.0W 51mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3867DV-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 5.1A 2.0W 51mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
