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深圳飞弛宏科技有限公司

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SI3867DV-T1-GE3

VISHAY/威世TSOP-6

3000

23+

0.1
+:¥10

专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低

深圳市河锋鑫科技有限公司

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5年 留言

VISHAY/威世SOT23-6

3560

2019+PB

原装正品 可含税交易

深圳诚思涵科技有限公司

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VISHAYSOT23-6

3560

16+

进口原装现货/价格优势!

深圳市安富世纪电子有限公司

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VISHAY

50000

23+

全新原装正品现货,支持订货

深圳市诺美思科技有限公司

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17年 留言

VISHAY原厂封装

9800

原装进口公司现货假一赔百

深圳市威雅利发展有限公司

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VISHAY

6000

10+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市坤融电子科技有限公司

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VISHAY/威世TSOP-6

5000

2025+

原装进口,免费送样品!

深圳市盈慧通电子有限公司

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4年 留言

VISHAY/威世TSOP-6

360000

2511

电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价

深圳市凌旭科技有限公司

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VISHAYSOT-163

3500

2016+

只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!

深圳市宇创芯科技有限公司

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VISHAY/威世SOT-163

9600

24+

原装现货,优势供应,支持实单!

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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VISHAY/威世TSOP-6

11200

23+

原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO

深圳市能元时代电子有限公司

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VISHAYSOT163

12800

23+

公司只有原装 欢迎来电咨询。

深圳市明嘉莱科技有限公司

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VISHAY/威世SOT23-6

880000

25+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市威尔健半导体有限公司

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VBSEMI/台湾微碧TSOP6

50000

23+

全新原装正品现货,支持订货

深圳市芯为科技有限公司

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VISHAY/威世6-TSOP

50000

26+

芯为深仓现货

深圳市河锋鑫科技有限公司

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Vishay SiliconixSOT236 Thin TSOT236

9000

22+

原厂渠道,现货配单

深圳市盈慧通电子有限公司

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VISHAYSOT23-6

56526

26+

电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价!

海芯未来半导体电子(深圳)有限公司

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VISHAY/威世SOT23-6

6337

25+

只做原装进口!正品支持实单!

瀚佳科技(深圳)有限公司

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VISHAYSOT163

30980

24+

原装现货/放心购买

深圳市一线半导体有限公司

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Vishay/Siliconix6-TSOP

7500

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SI3867DV-T1-E3价格

SI3867DV-T1-E3价格:¥2.9462品牌:VISHAY

生产厂家品牌为VISHAY的SI3867DV-T1-E3多少钱,想知道SI3867DV-T1-E3价格是多少?参考价:¥2.9462。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI3867DV-T1-E3批发价格及采购报价,SI3867DV-T1-E3销售排行榜及行情走势,SI3867DV-T1-E3报价。

SI3867DV-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF

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SI3867DV制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V(D-S) MOSFET

SI3867DV_08制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V(D-S) MOSFET

SI3867DV-T1功能描述:MOSFET 20V 5.1A 1.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI3867DV-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 5.1A 2.0W 51mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI3867DV-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 5.1A 2.0W 51mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube