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SI3900DV-T1 | Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：92.52 Kbytes 页数：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | Vishay | |
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：514.179 Kbytes 页数：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：514.62 Kbytes 页数：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：92.52 Kbytes 页数：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | Vishay | ||
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：201.99 Kbytes 页数：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | Vishay | ||
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：201.99 Kbytes 页数：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | Vishay |
详细参数
- 型号：
SI3900DV-T1
- 功能描述：
MOSFET 20V 2.4A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
25+23+ |
SOT23-6 |
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