SI3879DV数据表ic资料原装现货威世科技-114ic电子网

首页 >SI3879DV>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
SI3879DV	文件：137.46 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI3879DV-T1-GE3	文件：568.25 Kbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableApplications •BatterySwitchforPortableDevices •Computers -BusSwitch -LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SI3879DV-T1-E3	文件：137.46 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
INN3879C	文件：3.06716 Mbytes Page：44 Pages	Off-LineQRFlybackSwitcherICwithIntegratedUSBType-CandUSBPDController,High-VoltageSwitch,SynchronousRectificationandFluxLinkFeedback USBTypeCandPDController •USBPowerDelivery3.0+PPSproviderandQC4support •CompliantwithUSBType-CRev.1.3 •IntegratedVCONNFETswithsoftstartandover-currentprotection •Supportselectronicallymarkedcables •Configurablepull-upresistorRp •Onchiptemperaturesenso	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT
KTC3879	文件：1.36259 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighPowerGain APPLICATIONS HighFrequencyApplication HF,VHFBandAmplifierApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
KTC3879	文件：1.09332 Mbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
KTC3879	文件：431.97 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHFREQUENCY,HFVHFBANDAMPLIFIER) HIGHFREQUENCYAPPLICATION. HF,VHFBANDAMPLIFIERAPPLICATION. FEATURES •HighPowerGain:Gpe=29dB(Typ.)(f=10.7MHz)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC3879	文件：222.06 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES •Highpowergain. APPLICATIONS •Highfrequencyapplication. •HF,VHFbandamplifierappilication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
KTC3879	文件：59.22 Kbytes Page：1 Pages	0.05A,35VNPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES •HighPowerGain APPLICATIONS •HighFrequencyApplication •HF,VHFBandAmplifierApplication	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
KTC3879	文件：485.9 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES •HighPowerGain APPLICATIONS •HighFrequencyApplication •HF,VHFBandAmplifierApplication	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
KTC3879	文件：133.61 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •Highpowergain	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED	MAKOSEMI
KTC3879	文件：893.99 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighPowerGain APPLICATIONS ●HighFrequencyApplication ●HF,VHFBandAmplifierApplication	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
KTC3879	文件：190.22 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
KTC3879	文件：201.97 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •Highpowergain	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
KTC3879S	文件：691.91 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features HighGpe. Applications HF,VHFbandamplifierapplication.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
LP3879	文件：1.03306 Mbytes Page：18 Pages	LP3879Micropower800mALowNoiseCeramicStableVoltageRegulatorforLow	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LP3879	文件：725.47 Kbytes Page：11 Pages	Micropower800mALowNoiseCeramicStableVoltageRegulatorforLowVoltageApplications	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LTC3879	文件：465.17 Kbytes Page：36 Pages	CurrentModeSynchronousControllerforSubMilliohmDCRSensing	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER
LTC3879	文件：1.18265 Mbytes Page：112 Pages	SinglePhaseStep-DownDC/DCControllerwithDigitalPowerSystemManagement	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER
MB3879	文件：544.61 Kbytes Page：54 Pages	DC/DCConverterICforParallelChargingof3/4cellLi-ion&NiMHBatteries DESCRIPTION TheMB3879isaDC/DCconverterICforparallelchargingof3/4cellLi-ion&NiMHbatteries,whichusesthepulse-widthmodulation(PWM)forcontrollingoutputvoltagesandoutputcurrentsindependently.ThisICcandynamicallycontrolsecondarybatterie’schargecurrent,which	FujitsuFujitsū Kabushiki-gaisha 富士通富士通株式会社	Fujitsu

12 >>>

详细参数

型号：
SI3879DV
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
P-Channel 20-V(D-S) MOSFET with Schottky Diode

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	SI3879DV	VIS	23+	SOT23-6	30000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市华来深电子有限公司	SI3879DV-T1-E3	VISHAY	23+	SOT23-6	8650	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
深圳兆威电子有限公司	SI3879DV-T1-GE3	VISHAY	23+	TSOP-6	63000	原装正品现货	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	SI3879DV-T1-E3		23+	N/A	90250	正品授权货源可靠	询价
深圳诚思涵科技有限公司	SI3879DV-T1-E3	VISHAY	19+	SOT-163	200000		询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	Si3879DV-T1-E3	VISHAY/威世通	20+	SOT-23-6	36800	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	SI3879DV-T1-GE3	VISHAY	2020+	SOT23-6	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市广弘电子有限公司	SI3879DV-T1-E3	VISHAY	2002	SOT-163	65000	原装正品假一罚万	询价
深圳市维尔达电子有限公司	SI3879DV-T1-E3	VISHAY	2023+	SOT-163	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
深圳市嘉势达电子有限公司	SI3879DV-T1-E3	VISHAY	2013+PB	SOT-163	30000	百分百原装正品现货	询价

更多SI3879DV供应商更新时间2024-5-14 16:32:00

详细参数

相关规格书

相关库存