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SI3420DV-T1	文件：65 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 200-V (D-S) MOSFET 文件：65 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI3420DV-T1-E3	文件：443.69 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters, High Speed Switching 文件：443.69 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SI3443DDV-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP-6	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司上传：深圳市金芯阳科技有限公司	VISHAY
SI3462-E01-GMIC	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN11	SILICON LABS/芯科上传：深圳庞田科技有限公司	SILICON LABS/芯科
SI3462-E01-GMR	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN11	SILICON 上传：深圳市澳亿芯电子科技有限公司	SILICON

详细参数

型号：
SI3420DV-T1
功能描述：
MOSFET 200V 0.5A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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