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FGR15N40A	文件：118.99 Kbytes Page：6 Pages	StrobeFlashN-ChannelLogicLevelIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGS15N40L	文件：204.72 Kbytes Page：6 Pages	ElectricalCharacteristicsofIGBT GeneralDescription InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)withtrenchgatestructurehavesuperiorperformanceinconductanceandswitchingtoplanargatestructureandalsohavewidenoiseimmunity.Thesedevicesarewellsuitableforstrobeapplication Features •HighInputImpedance •H	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGS15N40L	文件：210.2 Kbytes Page：6 Pages	HighInputImpedance GeneralDescription InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)withtrenchgatestructurehavesuperiorperformanceinconductanceandswitchingtoplanargatestructureandalsohavewidenoiseimmunity.Thesedevicesarewellsuitableforstrobeapplication Features •HighInputImpedance •H	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGS15N40LTF	文件：210.2 Kbytes Page：6 Pages	HighInputImpedance GeneralDescription InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)withtrenchgatestructurehavesuperiorperformanceinconductanceandswitchingtoplanargatestructureandalsohavewidenoiseimmunity.Thesedevicesarewellsuitableforstrobeapplication Features •HighInputImpedance •H	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGW15N40A	文件：112.29 Kbytes Page：6 Pages	StrobeFlashN-ChannelLogicLevelIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MGB15N40CL	文件：81.32 Kbytes Page：12 Pages	IgnitionIGBT15Amps,410Volts InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGB15N40CL	文件：91.6 Kbytes Page：10 Pages	IgnitionIGBT15Amps,410VoltsN-ChannelTO-220andD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGC15N40CL	文件：100.36 Kbytes Page：8 Pages	InternallyClampedN-ChannelIGBT InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MGP15N40CL	文件：81.32 Kbytes Page：12 Pages	IgnitionIGBT15Amps,410Volts InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
SGU15N40L
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
General Description

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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