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FDPF15N40	文件：256.209 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET400V,15A,0.3廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGR15N40A	文件：118.99 Kbytes Page：6 Pages	StrobeFlashN-ChannelLogicLevelIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGS15N40L	文件：204.72 Kbytes Page：6 Pages	ElectricalCharacteristicsofIGBT GeneralDescription InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)withtrenchgatestructurehavesuperiorperformanceinconductanceandswitchingtoplanargatestructureandalsohavewidenoiseimmunity.Thesedevicesarewellsuitableforstrobeapplication Features •HighInputImpedance •H	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGS15N40L	文件：210.2 Kbytes Page：6 Pages	HighInputImpedance GeneralDescription InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)withtrenchgatestructurehavesuperiorperformanceinconductanceandswitchingtoplanargatestructureandalsohavewidenoiseimmunity.Thesedevicesarewellsuitableforstrobeapplication Features •HighInputImpedance •H	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGS15N40LTF	文件：210.2 Kbytes Page：6 Pages	HighInputImpedance GeneralDescription InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)withtrenchgatestructurehavesuperiorperformanceinconductanceandswitchingtoplanargatestructureandalsohavewidenoiseimmunity.Thesedevicesarewellsuitableforstrobeapplication Features •HighInputImpedance •H	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGW15N40A	文件：112.29 Kbytes Page：6 Pages	StrobeFlashN-ChannelLogicLevelIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MGB15N40CL	文件：81.32 Kbytes Page：12 Pages	IgnitionIGBT15Amps,410Volts InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGB15N40CL	文件：91.6 Kbytes Page：10 Pages	IgnitionIGBT15Amps,410VoltsN-ChannelTO-220andD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGC15N40CL	文件：100.36 Kbytes Page：8 Pages	InternallyClampedN-ChannelIGBT InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGP15N40CL	文件：91.6 Kbytes Page：10 Pages	IgnitionIGBT15Amps,410VoltsN-ChannelTO-220andD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

技术参数

电压 - 集射极击穿（最大值）：
400V
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
130A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
8V @ 4.5V，130A
功率 - 最大值：
45W
输入类型：
标准
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
I-PAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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