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FGR15N40A	文件：118.99 Kbytes Page：6 Pages	Strobe Flash N-Channel Logic Level IGBT 文件：118.99 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGR15N40A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Strobe Flash N-Channel Logic Level IGBT	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGS15N40L	文件：204.72 Kbytes Page：6 Pages	Electrical Characteristics of IGBT General Description Insulated Gate Bipolar Transistors(IGBTs) with trench gate structure have superior performance in conductance and switching to planar gate structure and also have wide noise immunity. These devices are well suitable for strobe application Features • High Input Impedance • H 文件：204.72 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGS15N40L	文件：210.2 Kbytes Page：6 Pages	High Input Impedance General Description Insulated Gate Bipolar Transistors(IGBTs) with trench gate structure have superior performance in conductance and switching to planar gate structure and also have wide noise immunity. These devices are well suitable for strobe application Features • High Input Impedance • H 文件：210.2 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGS15N40LTF	文件：210.2 Kbytes Page：6 Pages	High Input Impedance General Description Insulated Gate Bipolar Transistors(IGBTs) with trench gate structure have superior performance in conductance and switching to planar gate structure and also have wide noise immunity. These devices are well suitable for strobe application Features • High Input Impedance • H 文件：210.2 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

详细参数

型号：
FGR15N40A
功能描述：
MOSFET SINGLE 600V SMPS II SZ 4 N-CH IGBT
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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