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FGS15N40L	文件：204.72 Kbytes Page：6 Pages	Electrical Characteristics of IGBT General Description Insulated Gate Bipolar Transistors(IGBTs) with trench gate structure have superior performance in conductance and switching to planar gate structure and also have wide noise immunity. These devices are well suitable for strobe application Features • High Input Impedance • H 文件：204.72 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGS15N40L	文件：210.2 Kbytes Page：6 Pages	High Input Impedance General Description Insulated Gate Bipolar Transistors(IGBTs) with trench gate structure have superior performance in conductance and switching to planar gate structure and also have wide noise immunity. These devices are well suitable for strobe application Features • High Input Impedance • H 文件：210.2 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGS15N40LTF	文件：210.2 Kbytes Page：6 Pages	High Input Impedance General Description Insulated Gate Bipolar Transistors(IGBTs) with trench gate structure have superior performance in conductance and switching to planar gate structure and also have wide noise immunity. These devices are well suitable for strobe application Features • High Input Impedance • H 文件：210.2 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGS15N40L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Electrical Characteristics of IGBT	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGS15N40LTF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 400V 2W 8SOP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
FGS15N40L
功能描述：
IGBT 晶体管 N-Ch/400V/130A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多FGS15N40L供应商更新时间2026-1-28 10:20:00

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