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RU15P12C	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-MOSFET Catalog	Ruichips 锐骏半导体	Ruichips
V15P12	文件：101.32 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 文件：101.32 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V15P12	文件：101.96 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - A 文件：101.96 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
FQI15P12	文件：652.3 Kbytes Page：9 Pages	120V P-Channel MOSFET 文件：652.3 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQP15P12	文件：852.56 Kbytes Page：10 Pages	120V P-Channel MOSFET 文件：852.56 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQPF15P12	文件：852.56 Kbytes Page：10 Pages	120V P-Channel MOSFET 文件：852.56 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

更多RU15P12C供应商更新时间2026-4-18 9:57:00