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RU1H20H

丝印:RU1H20H;Package:SOP-8;N-Channel Advanced Power MOSFET

文件:341.64 Kbytes 页数:8 Pages

RUICHIPS

锐骏半导体

RU1H20H

MOSFET

Ruichips

锐骏半导体

RUS1H20R

Power Schottky Barrier Diode

文件:171.83 Kbytes 页数:5 Pages

RUICHIPS

锐骏半导体

SS1H20LS

1A, 40V - 200V Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

文件:215.52 Kbytes 页数:4 Pages

TSC

台湾半导体

SS1H20LW

1A, 40V - 200V Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

文件:271.4 Kbytes 页数:4 Pages

TSC

台湾半导体

技术参数

  • ESD Diode (Y/N):

    N

  • VDSS(V):

    100.0

  • VTH(V):

    1.5-2.7

  • IDS(A)@TA=25℃:

    20.0

  • RDS(ON)(mΩ)Typ@VGS=10V:

    15.0

  • RDS(ON)(mΩ)Typ@VGS=4.5V:

    24.0

  • Package:

    SOP-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RUICHIPS/锐骏
25+
SOP-8
20300
RUICHIPS/锐骏原装特价RU1H20H即刻询购立享优惠#长期有货
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RUICHIPS
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TO-247
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更多RU1H20H供应商 更新时间2026-1-29 14:14:00