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V15P12	文件：101.96 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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V15P12_V01	文件：101.96 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V15P12HM3/H	文件：101.32 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V15P12HM3/I	文件：101.32 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V15P12-M3/H	文件：101.32 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V15P12-M3/I	文件：101.32 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V15P12HM3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-277，3-PowerDFN 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277A	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V15P12-M3/H	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-277，3-PowerDFN 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277A	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V15P12-M3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-277，3-PowerDFN 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277A	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
15P12	文件：852.56 Kbytes Page：10 Pages	120VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
D15P12DW	文件：171.08 Kbytes Page：4 Pages	HyperLinkBrandWeatherResistantLightningandSurgeProtectorforRS-485ControlplusAC/DCPowerLines Applications •RS-485lineswithACorDCsupplyvoltage •AnalogorIPvideosurveillancecameras •Pool/spaandindustrialcontrollersandkeyboards •Door/gateaccesscontrolwithRS-485andpower •Pan-Tilt-Zoom(PTZ)cameracontrollers Features •IndividualprotectioncircuitsforRS	L-COM Infinite Electronics International, Inc.	L-COM
DRA-15P12	文件：85.06 Kbytes Page：1 Pages	90째SolderDip(Male/Female)	YAMAICHI YAMAICHI electronics	YAMAICHI
DRB-15P12	文件：85.06 Kbytes Page：1 Pages	90째SolderDip(Male/Female)	YAMAICHI YAMAICHI electronics	YAMAICHI
FQB15P12	文件：333.09 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=-11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.29Ω(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQB15P12	文件：652.3 Kbytes Page：9 Pages	120VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI15P12	文件：652.3 Kbytes Page：9 Pages	120VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP15P12	文件：852.56 Kbytes Page：10 Pages	120VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF15P12	文件：852.56 Kbytes Page：10 Pages	120VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSM15P12	文件：2.18527 Mbytes Page：7 Pages	120VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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更多V15P12供应商更新时间2024-9-21 17:24:00

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