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RU1H150R	文件：437.37 Kbytes Page：8 Pages	丝印：RU1H150R；Package：TO220；N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司
RU1H150R	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEFET®	RuichipsShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司
RU1H150S	文件：378.26 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司
UDB1H150MHB	文件：51.22 Kbytes Page：2 Pages	ALUMINUMELECTROLYTICCAPACITORS	nichiconNichicon corporation 尼吉康日本尼吉康株式会社
UDB1H150MHM	文件：91.42 Kbytes Page：1 Pages	ALUMINUMELECTROLYTICCAPACITORS	nichiconNichicon corporation 尼吉康日本尼吉康株式会社

技术参数

Channel：
N
Config：
Single
Vds：
108
ID(A)：
150
Rds(on)(typ)(mOhm)/10v：
3.5
Vth(typ)(V)：
2~4
Vgs(±V)：
20
PD(W)：
288
Qg(typ)(nC)：
117
Qgd(typ)(nC)：
37
Product Status：
Mass Production

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