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RU1C002ZP	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.2V Drive Pch MOSFET 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •1.2V驱动型 Pch 小信号MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RU1C002ZP	文件：975.39 Kbytes Page：6 Pages	丝印：YK；Package：UMT3F；1.2V Drive Pch MOSFET 文件：975.39 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RV1C002UN	文件：751.94 Kbytes Page：11 Pages	Nch 20V 150mA Small Signal MOSFET 文件：751.94 Kbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RE1C002UN	文件：2.59071 Mbytes Page：13 Pages	Nch 20V 200mA Small Signal MOSFET 文件：2.59071 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RE1C002UNTCL	文件：2.59071 Mbytes Page：13 Pages	Nch 20V 200mA Small Signal MOSFET 文件：2.59071 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RE1C002UN-TP	文件：949.32 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features © Vos=20Vb=08A Roson=250mQ @ Vos=4.5V (typ) Roson = 300m0@ Ves=2.5V (typ) * ESD Protection 文件：949.32 Kbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC

技术参数

封装：
UMT3F
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-323FL
JEITA Package：
SC-85
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-20
Drain Current ID[A]：
-0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.)：
2.4
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)：
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
1
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.8
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
2.4
Total gate charge Qg[nC]：
1.4
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Drive Voltage[V]：
-1.2
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2x2.1 (t=1.05)

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