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RE1C002UN

Nch 20V 200mA Small Signal MOSFET

文件:2.59071 Mbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

RE1C002UN-TP

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features © Vos=20Vb=08A Roson=250mQ @ Vos=4.5V (typ) Roson = 300m0@ Ves=2.5V (typ) * ESD Protection

文件:949.32 Kbytes 页数:3 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

RE1C002UNTCL

Nch 20V 200mA Small Signal MOSFET

文件:2.59071 Mbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

RE1C002UN

1.2V Drive Nch MOSFET

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •1.2V驱动型 Nch 小信号MOSFET;

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    EMT3F

  • 包装数量:

    3000

  • 最小独立包装数量:

    3000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    SOT-416FL

  • JEITA Package:

    SC-89

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    20

  • Drain Current ID[A]:

    0.2

  • RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.):

    1.6

  • RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.):

    1.2

  • RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.):

    0.8

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    1.6

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    0.15

  • Drive Voltage[V]:

    1.2

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    1.6x1.6 (t=0.85)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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