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RE1C002UN-TP

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features © Vos=20Vb=08A Roson=250mQ @ Vos=4.5V (typ) Roson = 300m0@ Ves=2.5V (typ) * ESD Protection

文件:949.32 Kbytes 页数:3 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

RE1C002ZP

Pch -20V -200mA Small Signall MOSFET

文件:2.23387 Mbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

RU1C002UN

1.2V Drive Nch MOSFET

文件:964.36 Kbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

RU1C002ZP

1.2V Drive Pch MOSFET

文件:975.39 Kbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

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ROHM
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SOT-416FL
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更多RE1C002UN-TP供应商 更新时间2025-11-22 13:02:00