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RU1C002UN

1.2V Drive Nch MOSFET

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •1.2V驱动型 Nch 小信号MOSFET;

ROHM

罗姆

RU1C002UN

丝印:QR;Package:UMT3F;1.2V Drive Nch MOSFET

文件:964.36 Kbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

RU1C002ZP

1.2V Drive Pch MOSFET

文件:975.39 Kbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

RV1C002UN

Nch 20V 150mA Small Signal MOSFET

文件:751.94 Kbytes 页数:11 Pages

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    UMT3F

  • 包装数量:

    3000

  • 最小独立包装数量:

    3000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    SOT-323FL

  • JEITA Package:

    SC-85

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    20

  • Drain Current ID[A]:

    0.2

  • RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.):

    1.6

  • RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.):

    1.2

  • RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.):

    0.8

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    1.6

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    0.15

  • Drive Voltage[V]:

    1.2

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    2x2.1 (t=1.05)

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ROHM/罗姆
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