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RV1C002UN	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.2V驱动型 Nch 小信号 MOSFET 0806尺寸的超小型封装。 · Low voltage drive(1.2V) type\n· The Ultra Small Package (0806size).\n· For partable equipment.\n· Drive circuits can be simple.\n· Built-in ESD Protection Diode.;	ROHM 罗姆	ROHM
RV1C002UN	文件：751.94 Kbytes Page：11 Pages	Nch 20V 150mA Small Signal MOSFET 文件：751.94 Kbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RE1C002UN	文件：2.59071 Mbytes Page：13 Pages	Nch 20V 200mA Small Signal MOSFET 文件：2.59071 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RE1C002UNTCL	文件：2.59071 Mbytes Page：13 Pages	Nch 20V 200mA Small Signal MOSFET 文件：2.59071 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RE1C002UN-TP	文件：949.32 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features © Vos=20Vb=08A Roson=250mQ @ Vos=4.5V (typ) Roson = 300m0@ Ves=2.5V (typ) * ESD Protection 文件：949.32 Kbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC

技术参数

封装：
VML0806
包装数量：
8000
最小独立包装数量：
8000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
DFN0806-3
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
20
Drain Current ID[A]：
0.15
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.)：
3.8
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)：
2.7
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
1.4
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
3.8
Power Dissipation (PD)[W]：
0.1
Drive Voltage[V]：
1.2
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
0.6x0.8 (t=0.39)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市博中泰实业有限公司	RV1C002UN	ROHM/罗姆	24+	VML0806	60000		询价
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更多RV1C002UN供应商更新时间2025-10-4 13:01:00

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