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TA8201AK	文件：413.12 Kbytes Page：8 Pages	BTLAUDIOPOWERAMPLIFIER	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TD8201	文件：547.51 Kbytes Page：11 Pages	WhiteLEDStep-upConverter	TECHCODETECHCODE SEMICONDUCTOR, INC. 泰德美国泰德半导体有限公司	TECHCODE
TISP8201HDM	文件：481.45 Kbytes Page：7 Pages	COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRSFORDUALPOLARITYSLICOVERVOLTAGEPROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8201HDMR-S	文件：860.58 Kbytes Page：1 Pages	GR-1089-COREDualSupplyVoltage	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8201M	文件：286.01 Kbytes Page：11 Pages	COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRSFORDUALPOLARITYSLICOVERVOLTAGEPROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8201MDR	文件：329.38 Kbytes Page：13 Pages	COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRSFORDUALPOLARITYSLICOVERVOLTAGEPROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8201MDR-S	文件：329.38 Kbytes Page：13 Pages	COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRSFORDUALPOLARITYSLICOVERVOLTAGEPROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TLE8201R	文件：598.93 Kbytes Page：45 Pages	DoorModulePowerIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
TPC8201	文件：344.35 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCs ●Lowdrain−sourceONresistance:RDS(ON)=37mΩ(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=6S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=30V) ●Enhancement−mode:Vth=0.8~2.0V(VDS=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8201	文件：187.23 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=38mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=5.4S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) •Enhancement-mode:Vth=0.5to1.2V(VDS=10V,ID=200μA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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