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TISP8201M	文件：286.01 Kbytes Page：11 Pages	COMPLEMENTARY BUFFERED-GATE SCRS FOR DUAL POLARITY SLIC OVERVOLTAGE PROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8201MDR	文件：329.38 Kbytes Page：13 Pages	COMPLEMENTARY BUFFERED-GATE SCRS FOR DUAL POLARITY SLIC OVERVOLTAGE PROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8201MDR-S	文件：329.38 Kbytes Page：13 Pages	COMPLEMENTARY BUFFERED-GATE SCRS FOR DUAL POLARITY SLIC OVERVOLTAGE PROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8201MDR-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：带盒（TB）类别：电路保护 TVS - 晶闸管描述：THYRISTOR 120V 45A 8SOIC	Bourns Inc. Bourns Inc.	Bourns Inc.
TLE8201R	文件：598.93 Kbytes Page：45 Pages	DoorModulePowerIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
TPC8201	文件：344.35 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCs ●Lowdrain−sourceONresistance:RDS(ON)=37mΩ(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=6S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=30V) ●Enhancement−mode:Vth=0.8~2.0V(VDS=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8201	文件：232.71 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8201	文件：187.23 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=38mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=5.4S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) •Enhancement-mode:Vth=0.5to1.2V(VDS=10V,ID=200μA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8201	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8201	文件：1.88033 Mbytes Page：8 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
TISP8201M
功能描述：
SCR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics 最大转折电流
IBO：
480 A 额定重复关闭状态电压
VDRM：
600 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
5 uA
开启状态：
RMS
正向电压下降：
1.6 V
栅触发电压(Vgt)：
1.3 V
最大栅极峰值反向电压：
5 V
栅触发电流(Igt)：
35 mA 保持电流（Ih
最大值）：
75 mA
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
TO-220
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	TISP8201M	BOURNS	24+	SOP-8	9800		询价
深圳市宏世佳电子科技有限公司	TISP8201M	BBOURNS	2025+	SOP8	3750	全新原厂原装产品、公司现货销售	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	TISP8201M	BOURNS	23+	SOP8	1202	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市勤思达科技有限公司	TISP8201M	BOURNS	24+	SOP8	5000	全新原装正品,现货销售	询价
深圳市天芯威科技有限公司	TISP8201M	BOURNS	22+23+	SOP8	8000	新到现货，只做原装进口	询价
深圳市中福国际管理有限公司	TISP8201M	BOURNS	20+	SOP8	1202	进口原装现货,假一赔十	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	TISP8201M	BOURNS	24+	SOP8	12000	原装	询价
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深圳市弘为电子有限公司	TISP8201MD	TI01	24+	SO8	8	原装现货假一罚十	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	TISP8201MDR	NEC	2020+	SOP	15000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价

更多TISP8201M供应商更新时间2025-4-30 15:30:00

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