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TISP8201M	文件：286.01 Kbytes Page：11 Pages	COMPLEMENTARY BUFFERED-GATE SCRS FOR DUAL POLARITY SLIC OVERVOLTAGE PROTECTION 文件：286.01 Kbytes 页数：11 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
TISP8201MDR	文件：329.38 Kbytes Page：13 Pages	COMPLEMENTARY BUFFERED-GATE SCRS FOR DUAL POLARITY SLIC OVERVOLTAGE PROTECTION 文件：329.38 Kbytes 页数：13 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
TISP8201MDR-S	文件：329.38 Kbytes Page：13 Pages	COMPLEMENTARY BUFFERED-GATE SCRS FOR DUAL POLARITY SLIC OVERVOLTAGE PROTECTION 文件：329.38 Kbytes 页数：13 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
TISP8201M	文件：300 bytes Page：1 Pages	半导体放电管	Bourns 伯恩斯	Bourns
TISP8201MDR-S	文件：300 bytes Page：1 Pages	SCR PROTECTOR - BUFFERED N-GATE PROG. PROT.	Bourns 伯恩斯	Bourns
TISP8201MDR-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：带盒（TB）类别：电路保护 TVS - 晶闸管描述：THYRISTOR 120V 45A 8SOIC	Bourns Inc.	Bourns Inc.

详细参数

型号：
TISP8201M
功能描述：
SCR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics 最大转折电流
IBO：
480 A 额定重复关闭状态电压
VDRM：
600 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
5 uA
开启状态：
RMS
正向电压下降：
1.6 V
栅触发电压(Vgt)：
1.3 V
最大栅极峰值反向电压：
5 V
栅触发电流(Igt)：
35 mA 保持电流（Ih
最大值）：
75 mA
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
TO-220
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	TISP8201M	BOURNS	24+	SOP-8	9800		询价
深圳市宏世佳电子科技有限公司	TISP8201M	BBOURNS	2025+	SOP8	3750	全新原厂原装产品、公司现货销售	询价
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更多TISP8201M供应商更新时间2025-10-6 15:30:00

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