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TISP8201MDR-S	文件：329.38 Kbytes Page：13 Pages	COMPLEMENTARY BUFFERED-GATE SCRS FOR DUAL POLARITY SLIC OVERVOLTAGE PROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8201MDR-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：带盒（TB）类别：电路保护 TVS - 晶闸管描述：THYRISTOR 120V 45A 8SOIC	Bourns Inc. Bourns Inc.	Bourns Inc.
TLE8201R	文件：598.93 Kbytes Page：45 Pages	DoorModulePowerIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
TPC8201	文件：344.35 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCs ●Lowdrain−sourceONresistance:RDS(ON)=37mΩ(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=6S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=30V) ●Enhancement−mode:Vth=0.8~2.0V(VDS=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8201	文件：232.71 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8201	文件：187.23 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=38mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=5.4S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) •Enhancement-mode:Vth=0.5to1.2V(VDS=10V,ID=200μA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8201	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8201	文件：1.88033 Mbytes Page：8 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPCP8201	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8201	文件：248.63 Kbytes Page：7 Pages	PortableEquipmentApplications PortableEquipmentApplications MotorDriveApplications DC-DCConverterApplications •Lead(Pb)-Free •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=38mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=7.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(VDS=30V) •Enhancementmode:Vth=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
TISP8201MDR-S
制造商：
Bourns Inc.
类别：
电路保护 > TVS - 晶闸管
包装：
带盒（TB）
电压 - 导通：
95V
电压 - 断态：
120V
电容：
35pF
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：
THYRISTOR 120V 45A 8SOIC

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