TPCF8201中文资料东芝数据手册PDF规格书

厂商型号	TPCF8201
功能描述	Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
文件大小	187.23 Kbytes
页面数量	7 页
生产厂商	TOSHIBA
中文名称	东芝
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更新时间	2025-12-13 23:01:00
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• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 38 mΩ (typ.)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.4 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 20 V)

• Enhancement-mode: Vth = 0.5 to 1.2 V (VDS = 10 V, ID = 200 μA)

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