TPCF8102中文资料东芝数据手册PDF规格书

厂商型号	TPCF8102
功能描述	Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III)
丝印标识	F3B
封装外壳	2-3U1A
文件大小	224.05 Kbytes
页面数量	7 页
生产厂商	TOSHIBA
中文名称	东芝
网址	网址
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更新时间	2025-11-17 23:00:00
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• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 24 mΩ (typ.)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 14 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = −10 μA (max) (VDS = −20 V)

• Enhancement mode: Vth = −0.5 to −1.2 V

(VDS = −10 V, ID = −200 μA)

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