| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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5年
留言
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TOSHIBA/东芝1206-8 |
120000 |
2012+PB |
原装正品 可含税交易 |
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10年
留言
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TOSHIBA1206-8 |
120000 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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11年
留言
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TOSHIBA1206-8 |
120000 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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5年
留言
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TOSHIBA/东芝1206-8 |
120000 |
2016+PB |
原装正品 可含税交易 |
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15年
留言
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TOSHIBA/东芝1206-8 |
46977 |
25+ |
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TOSHIBA/东芝全新特价TPCF8102即刻询购立享优惠#长期有货 |
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9年
留言
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TOSHIBASOT23-8 |
20000 |
25+ |
原装 |
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12年
留言
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TOSHIBATSOP8 |
4370 |
07+PB |
全新原装进口自己库存优势 |
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4年
留言
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TOSHIBA/东芝1206-8 |
360000 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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17年
留言
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TOSHIBA/东芝SOT23-8 |
30000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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16年
留言
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TOSHIBASOT-8 |
5185 |
2025+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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12年
留言
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TOSHIBA/东芝VS-8 |
8595 |
2540+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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8年
留言
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TOSHIBA1206-8 |
18800 |
24+ |
绝对原装进口现货 假一赔十 价格优势! |
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13年
留言
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TOSHIBA1206-8 |
120000 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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13年
留言
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TOSHIBASSOP-8 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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7年
留言
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TOSHIBASOT23-8 |
1339 |
10+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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16年
留言
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TOSHIBA原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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5年
留言
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TOSHIBA/东芝1206-8 |
120000 |
2012+PB |
原装现货,假一赔十 |
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9年
留言
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TOSHIBA/东芝1206-8 |
360000 |
23+ |
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专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低 |
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6年
留言
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TOSHIBASOT23-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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10年
留言
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TOSHIBA1206-8 |
120000 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
TPCF8102采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
TPCF8102图片
TPCF8102价格
TPCF8102价格:¥1.0400品牌:TOSHIBA
生产厂家品牌为TOSHIBA的TPCF8102多少钱,想知道TPCF8102价格是多少?参考价:¥1.0400。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,TPCF8102批发价格及采购报价,TPCF8102销售排行榜及行情走势,TPCF8102报价。
TPCF8102中文资料Alldatasheet PDF
更多TPCF8102制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U-MOS III)
TPCF8102(TE85L)制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 20V 6A 6PIN VS - Tape and Reel 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6A VS-8
TPCF8102(TE85L,F)功能描述:MOSFET PW TR P-Ch -20V -6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
TPCF8102(TE85L,F,M功能描述:MOSFET MOSFET P-Ch 20V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
TPCF8102_07制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U-MOS III)

























