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TISP8201HDMR-S	文件：860.58 Kbytes Page：1 Pages	GR-1089-COREDualSupplyVoltage	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8201M	文件：286.01 Kbytes Page：11 Pages	COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRSFORDUALPOLARITYSLICOVERVOLTAGEPROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8201MDR	文件：329.38 Kbytes Page：13 Pages	COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRSFORDUALPOLARITYSLICOVERVOLTAGEPROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
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TPC8201	文件：344.35 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCs ●Lowdrain−sourceONresistance:RDS(ON)=37mΩ(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=6S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=30V) ●Enhancement−mode:Vth=0.8~2.0V(VDS=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8201	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8201	文件：1.88033 Mbytes Page：8 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPCF8201	文件：187.23 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=38mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=5.4S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) •Enhancement-mode:Vth=0.5to1.2V(VDS=10V,ID=200μA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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