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RQA0009SXAQS	文件：200.65 Kbytes Page：13 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65 (VDS = 6 V, f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2, Level4) 文件：200.65 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RQA0009SXTL	文件：200.65 Kbytes Page：13 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65 (VDS = 6 V, f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2, Level4) 文件：200.65 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RQA0009SXTL-E	文件：200.65 Kbytes Page：13 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65 (VDS = 6 V, f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2, Level4) 文件：200.65 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RQA0009TXDQS	文件：199.29 Kbytes Page：13 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65 (VDS = 6 V, f = 520 MHz) • Compact package capable of surface mounting • Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2, Level4) 文件：199.29 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RQA0009TXTL-E	文件：199.29 Kbytes Page：13 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Features • High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65 (VDS = 6 V, f = 520 MHz) • Compact package capable of surface mounting • Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2, Level4) 文件：199.29 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RQA0009SXAQS_11	文件：223.23 Kbytes Page：22 Pages	Silicon N-Channel MOS FET 文件：223.23 Kbytes 页数：22 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RQA0009TXDQS_11	文件：223.46 Kbytes Page：22 Pages	Silicon N-Channel MOS FET 文件：223.46 Kbytes 页数：22 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RQA0009TXDQS_15	文件：223.46 Kbytes Page：22 Pages	Silicon N-Channel MOS FET 文件：223.46 Kbytes 页数：22 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RQA0009SXTL-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel MOS FET High Output Power, High Gain, High Efficiency\n Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65%\n (VDS = 6 V, f = 520 MHz)\n Compact package capable of surface mounting\n Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2, Level4) ;	Renesas 瑞萨	Renesas
RQA0009SXAQS	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-MOSFETs for high frequency amplifier	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

Grouping：
Medium Power
Downloadable：
S-Parameter
Device type：
MOSFET
Package Type：
UPAK
ID [A]：
3.2
Nch/Pch：
Nch
Function：
Power Amp.
Target application：
General Purpose
Ordering Condition：
Large order only

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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