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RQA0009SXTL-E规格书详情
特性 Features
High Output Power, High Gain, High Efficiency
Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65%
(VDS = 6 V, f = 520 MHz)
Compact package capable of surface mounting
Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2, Level4)
技术参数
- 型号：
RQA0009SXTL-E
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N-Channel MOS FET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
24+ |
标准封装 |
12298 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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RENESAS/瑞萨 |
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NA/ |
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RENESAS |
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