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RQA0009SXAQS

Silicon N-Channel MOS FET

Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65 (VDS = 6 V, f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2, Level4)

文件:200.65 Kbytes 页数:13 Pages

RENESAS

瑞萨

RQA0009SXAQS_11

Silicon N-Channel MOS FET

文件:223.23 Kbytes 页数:22 Pages

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RQA0009SXAQS

Power MOSFETs-MOSFETs for high frequency amplifier

Renesas

瑞萨

RQA0009SXAQS#H1

Package:TO-243AA;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET N-CH 16V 3.2A UPAK

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

技术参数

  • Nch/Pch:

    Nch

  • Package Type:

    UPAK

  • Ordering Condition:

    Large order onlyOver sea limited

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多RQA0009SXAQS供应商 更新时间2025-12-10 23:00:00