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RQA0009TXTL-E

Silicon N-Channel MOS FET

Features • High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65 (VDS = 6 V, f = 520 MHz) • Compact package capable of surface mounting • Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2, Level4)

文件:199.29 Kbytes 页数:13 Pages

RENESAS

瑞萨

RS0009

SCHOTTKY RECTIFIER

文件:209.84 Kbytes 页数:2 Pages

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ULTRA FAST RECTIFIER

文件:112.88 Kbytes 页数:2 Pages

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SF-Z0009

Crimping pliers

文件:44.35 Kbytes 页数:2 Pages

PhoenixPHOENIX CONTACT

菲尼克斯德国菲尼克斯电气集团

详细参数

  • 型号:

    RQA0009TXTL-E

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N-Channel MOS FET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT-89
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更多RQA0009TXTL-E供应商 更新时间2025-12-24 8:10:00