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TLV2711CDBVT	文件：813.71 Kbytes Page：32 Pages	MICROPOWERSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TLV2711IDBV	文件：551.51 Kbytes Page：28 Pages	AdvancedLinCMOSERAIL-TO-RAILMICROPOWERSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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TLV2711IDBVR	文件：813.71 Kbytes Page：32 Pages	MICROPOWERSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TLV2711IDBVT	文件：813.71 Kbytes Page：32 Pages	MICROPOWERSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TLV2711Y	文件：813.71 Kbytes Page：32 Pages	AdvancedLinCMOSRAIL-TO-RAILMICROPOWERSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLV2711Y	文件：551.51 Kbytes Page：28 Pages	AdvancedLinCMOSERAIL-TO-RAILMICROPOWERSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UPA2711GR	文件：309.8 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2711GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=9mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−6.5A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=−4.5V,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2711GR	文件：149.55 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2711T	文件：185.93 Kbytes Page：12 Pages	2.9GHzWIDEBANDAMPLIFIERSILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT DESCRIPTION TheUPC2708TandUPC2711TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,and	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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