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RN2711JE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT), 2-in-1 Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP×2\nInternal Connection：2-in-1 (Common emitter)\nComplementary Product：RN1711JE\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current (Q1) IC -0.1 A \nCollector Current (Q2) IC -0.1 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO -50 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO -50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
RN2711JE	文件：290.29 Kbytes Page：6 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 文件：290.29 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TLV2711	文件：551.51 Kbytes Page：28 Pages	Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL MICROPOWER SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：551.51 Kbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV2711CDBV	文件：551.51 Kbytes Page：28 Pages	Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL MICROPOWER SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：551.51 Kbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
UPC2711T	文件：185.93 Kbytes Page：12 Pages	2.9 GHz WIDE BAND AMPLIFIER SILICON BIPOLAR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT DESCRIPTION The UPC2708T and UPC2711T are Silicon Monolithic integrated circuits manufactured using the NESAT III process. These devices are suitable as buffer amplifiers for wide-band applications. They are designed for low cost gain stages in cellular radios, GPS receivers, DBS tuners, PCN, and 文件：185.93 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC

技术参数

Package name：
SOT-553 (ESV)
Width×Length×Height(mm)：
1.6 x 1.6 x 0.55
Number of pins：
5
Surface mount package：
Y
Polarity：
PNP x 2
Internal Connection：
2-in-1 (Common emitter)
Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
10
Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
Infinity
Q1VCEO (Max)(V)：
-50
Q1IC (Max)(A)：
-0.1
Q2Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
10
Q2Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
Infinity
Q2VCEO (Max)(V)：
-50
Q2IC (Max)(A)：
-0.1

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更多RN2711JE供应商更新时间2026-4-2 9:10:00

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