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UPC2711T	文件：185.93 Kbytes Page：12 Pages	2.9 GHz WIDE BAND AMPLIFIER SILICON BIPOLAR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT DESCRIPTION TheUPC2708TandUPC2711TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,and	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2711T	文件：140.58 Kbytes Page：6 Pages	3 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2708TandUPC2711TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,and	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2711T-E3	文件：185.93 Kbytes Page：12 Pages	2.9 GHz WIDE BAND AMPLIFIER SILICON BIPOLAR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT DESCRIPTION TheUPC2708TandUPC2711TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,and	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2711T-E3	文件：140.58 Kbytes Page：6 Pages	3 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2708TandUPC2711TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,and	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2711TB	文件：66.53 Kbytes Page：9 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2711TB	文件：416.83 Kbytes Page：14 Pages	BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC2711TB	文件：334.23 Kbytes Page：10 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC2711TB	文件：285.69 Kbytes Page：20 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2711TB	文件：334.89 Kbytes Page：21 Pages	3.3 V, SILICON GERMANIUM MMIC WIDE BAND AMPLIFIER	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2711TB_1	文件：285.69 Kbytes Page：20 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
UPC2711T
功能描述：
射频放大器 5V Widebnd Amplifier
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
类型：
Low Noise Amplifier
工作频率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
P1dB：
18.5 dBm
输出截获点：
37.5 dBm
功率增益类型：
32 dB
噪声系数：
0.85 dB
工作电源电压：
5 V
电源电流：
125 mA
测试频率：
2.6 GHz
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
封装：
Reel

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