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UPC2711T	文件：185.93 Kbytes Page：12 Pages	2.9 GHz WIDE BAND AMPLIFIER SILICON BIPOLAR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT DESCRIPTION The UPC2708T and UPC2711T are Silicon Monolithic integrated circuits manufactured using the NESAT III process. These devices are suitable as buffer amplifiers for wide-band applications. They are designed for low cost gain stages in cellular radios, GPS receivers, DBS tuners, PCN, and 文件：185.93 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPC2711T	文件：140.58 Kbytes Page：6 Pages	3 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER DESCRIPTION The UPC2708T and UPC2711T are Silicon Monolithic integrated circuits manufactured using the NESAT III process. These devices are suitable as buffer amplifiers for wide-band applications. They are designed for low cost gain stages in cellular radios, GPS receivers, DBS tuners, PCN, and 文件：140.58 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPC2711T-E3	文件：185.93 Kbytes Page：12 Pages	2.9 GHz WIDE BAND AMPLIFIER SILICON BIPOLAR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT DESCRIPTION The UPC2708T and UPC2711T are Silicon Monolithic integrated circuits manufactured using the NESAT III process. These devices are suitable as buffer amplifiers for wide-band applications. They are designed for low cost gain stages in cellular radios, GPS receivers, DBS tuners, PCN, and 文件：185.93 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPC2711T-E3	文件：140.58 Kbytes Page：6 Pages	3 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER DESCRIPTION The UPC2708T and UPC2711T are Silicon Monolithic integrated circuits manufactured using the NESAT III process. These devices are suitable as buffer amplifiers for wide-band applications. They are designed for low cost gain stages in cellular radios, GPS receivers, DBS tuners, PCN, and 文件：140.58 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPC2711TB	文件：285.69 Kbytes Page：20 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER 文件：285.69 Kbytes 页数：20 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPC2711TB	文件：334.89 Kbytes Page：21 Pages	3.3 V, SILICON GERMANIUM MMIC WIDE BAND AMPLIFIER 文件：334.89 Kbytes 页数：21 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPC2711TB	文件：66.53 Kbytes Page：9 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER 文件：66.53 Kbytes 页数：9 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPC2711TB	文件：416.83 Kbytes Page：14 Pages	BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT 文件：416.83 Kbytes 页数：14 Pages	CEL	CEL
UPC2711TB	文件：334.23 Kbytes Page：10 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER 文件：334.23 Kbytes 页数：10 Pages	CEL	CEL
UPC2711TB_1	文件：285.69 Kbytes Page：20 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER 文件：285.69 Kbytes 页数：20 Pages	NEC 瑞萨	NEC

详细参数

型号：
UPC2711T
功能描述：
射频放大器 5V Widebnd Amplifier
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
类型：
Low Noise Amplifier
工作频率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
P1dB：
18.5 dBm
输出截获点：
37.5 dBm
功率增益类型：
32 dB
噪声系数：
0.85 dB
工作电源电压：
5 V
电源电流：
125 mA
测试频率：
2.6 GHz
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
封装：
Reel

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