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TLV2711IDBVT	文件：813.71 Kbytes Page：32 Pages	MICROPOWER SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIERS	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TLV2711IDBVTG4	文件：813.71 Kbytes Page：32 Pages	MICROPOWER SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIERS	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TLV2711Y	文件：813.71 Kbytes Page：32 Pages	AdvancedLinCMOSRAIL-TO-RAILMICROPOWERSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLV2711Y	文件：551.51 Kbytes Page：28 Pages	AdvancedLinCMOSERAIL-TO-RAILMICROPOWERSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UPA2711GR	文件：309.8 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2711GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=9mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−6.5A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=−4.5V,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2711GR	文件：149.55 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2711T	文件：185.93 Kbytes Page：12 Pages	2.9GHzWIDEBANDAMPLIFIERSILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT DESCRIPTION TheUPC2708TandUPC2711TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,and	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2711T	文件：140.58 Kbytes Page：6 Pages	3GHzSILICONMMICWIDE-BANDAMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2708TandUPC2711TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,and	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2711TB	文件：334.89 Kbytes Page：21 Pages	3.3V,SILICONGERMANIUMMMICWIDEBANDAMPLIFIER	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2711TB	文件：285.69 Kbytes Page：20 Pages	5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICWIDEBANDAMPLIFIER	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
TLV2711IDBVT
功能描述：
运算放大器 - 运放 Single LinCMOS Rail-To-Rail uPower
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TLV2711IDBVT供应商更新时间2025-6-10 17:41:00

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