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TLV2711IDBVR	文件：813.71 Kbytes Page：32 Pages	MICROPOWER SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIERS	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TLV2711IDBVRG4	文件：813.71 Kbytes Page：32 Pages	MICROPOWER SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIERS	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TLV2711IDBVT	文件：813.71 Kbytes Page：32 Pages	MICROPOWERSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TLV2711Y	文件：813.71 Kbytes Page：32 Pages	AdvancedLinCMOSRAIL-TO-RAILMICROPOWERSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLV2711Y	文件：551.51 Kbytes Page：28 Pages	AdvancedLinCMOSERAIL-TO-RAILMICROPOWERSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UPA2711GR	文件：309.8 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2711GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=9mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−6.5A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=−4.5V,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2711GR	文件：149.55 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2711T	文件：185.93 Kbytes Page：12 Pages	2.9GHzWIDEBANDAMPLIFIERSILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT DESCRIPTION TheUPC2708TandUPC2711TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,and	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2711T	文件：140.58 Kbytes Page：6 Pages	3GHzSILICONMMICWIDE-BANDAMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2708TandUPC2711TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,and	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2711TB	文件：334.89 Kbytes Page：21 Pages	3.3V,SILICONGERMANIUMMMICWIDEBANDAMPLIFIER	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
TLV2711IDBVR
功能描述：
运算放大器 - 运放 LP R/R Op Amp.
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	TLV2711IDBVR	Texas Instruments	24+	SC-74A,SOT-753	25000	in stock线性IC-原装正品	询价
深圳市博浩通科技有限公司	TLV2711IDBVR	TI	23+	SOT23-5	15175	原装现货特价热销	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	TLV2711IDBVR	TI/德州仪器	22+	SOT23-5	6000	原装正品	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	TLV2711IDBVR	TI	2021+	SOT-23-5	6800	原厂原装,欢迎咨询	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	TLV2711IDBVR	TI(德州仪器)	24+	SOT23-5	10048	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市云美电子科技有限公司	TLV2711IDBVR	TI/德州仪器	24+	SOT23-5	45000	只做全新原装进口现货	询价
深圳市恒创达实业有限公司	TLV2711IDBVR	TI	17+	SOT-153	6200	100%原装正品现货	询价
深圳市勤思达科技有限公司	TLV2711IDBVR	TI	11+	SOT	8000	全新原装,绝对正品现货供应	询价
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更多TLV2711IDBVR供应商更新时间2025-5-28 14:13:00

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